「一分钟资讯」OPPO、苹果、小米、中邮、三星、华为，最新消息

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「一分钟资讯」第309篇，感谢你的阅读。

OPPO 首款自研 AP 芯片或 2023 年量产

近日，爱集微消息，OPPO 旗下 IC 设计子公司上海哲库已展开应用处理器（AP）及手机系统单芯片（SoC）研发，预计 2023 年会推出首款 AP 并采用台积电 6 纳米米制程生产，2024 年再推出整合 AP 及 Modem 的手机 SoC，并进一步采用台积电 4 纳米制程投片。

此前，OPPO 自研 NPU 芯片已经正式推出。2021 年 12 月 14 日，在 OPPO 2021 年度未来科技大会上，OPPO 首款自研 NPU 芯片马里亚纳 MariSilicon X 正式发布。

苹果 WWDC 2022 将于 6 月 6 日举行

苹果宣布，WWDC 2022 将于 6 月 6 日至 10 日举行。这次开发者大会依然是线上形式。

苹果计划向开发者提供课程和实验室，允许他们学习新功能和发布会上将要推出的新版系统。苹果将在这次大会上公布 iOS 16、iPadOS 16、macOS 13、tvOS 16 和 watchOS 9 系统。

iPhone 14 Pro Max 边框黑边或更窄

近日，MacRumors 消息，最新出现的 CAD 渲染图显示，iPhone 14 Pro Max 的屏幕边框黑边更窄，只有 1.95 毫米。

iPhone 13 Pro Max 屏幕边框黑边宽度为 2.42 毫米。这意味着 iPhone 14 Pro Max 的边框黑边缩小了 20%。

据悉，iPhone 14 Pro 和 Pro Max 不再使用刘海屏设计，而是长条开孔 + 打孔，开孔距离顶部边框 2.29 毫米。

全新 小米 MIX FOLD 即将登场

日前，据数码博主 @i 冰宇宙 透露，小米今年没有 MIX 数字系列，不过会推出 MIX FOLD 新机。

据 xiaomiui.net 爆料，小米或在 6 月发布小米 MIX FOLD 2，代号 “zizhan”，该机已在 IMEI 数据库现身，型号为 C。

尺寸方面，小米 MIX FOLD 2 内屏尺寸为 8 英寸，外屏尺寸为 6.5 英寸，与小米 MIX FOLD 尺寸接近。

此前博主 @数码闲聊站 曾表示，小米 MIX FOLD 2 的折痕较前代进步明显，同时内屏、外屏都支持高刷新率，弥补小米 MIX FOLD 的遗憾（小米 MIX FOLD 内屏刷新率为 60Hz）。

至于核心性能，小米 MIX FOLD 2 可能会搭载高通骁龙 8 处理器，也可能会搭载高通骁龙 8 Plus 处理器。

此前有爆料称，高通将在今年 5 月发布骁龙 8 Plus 处理器，相关终端会在 6 月份登场。

中邮Hi nova9 SE 5G手机或4月8日发布

据爆料博主“厂长是关同学”消息，中邮 Hi nova9 SE 5G 将在本月 8 日发布，外形与华为 nova9 SE 大体相同，处理器采用了骁龙 695，支持 5G。

骁龙 695 5G 这款芯片于去年 10 月份发布，提供全球 5G 支持，支持毫米波和 sub-6 GHz 频段。高通称，该平台具有高达 30% 的 GPU 图形渲染速度和 15% 的 CPU 性能提升（与骁龙 690 相比）。

据悉，中邮 Hi nova9 SE 现已通过工信部认证，型号为 FIO-TL00。

三星发布Galaxy S20 FE 2022款

据 GSMArena 报道，三星在韩国悄悄推出了 Galaxy S20 FE 2022 款机型。该设备似乎在 4 月 1 日出现在 KT 和 LG Uplus 网站上。但可以确定这不是愚人节玩笑。

这款手机与最初的 Galaxy S20 FE 5G（搭载骁龙 865 芯片）完全相同，只是 AKG 耳机已从零售包装中移除，价格也下降了 20 万韩元。

三星 Galaxy S20 FE 2022 款最终价格是 70 万韩元（约 3668 元人民币），大多数买家还可能会获得运营商补贴版本。用户可以通过型号 SM-G781NK22（或是 SM-G781NK）来识别这款新机型。只有云白色、云薰衣草色和云蓝色的配色可供选择。

华为公开芯片堆叠封装专利

华为公开了一种芯片堆叠封装及终端设备专利，解决因采用硅通孔技术而导致的成本高的问题。

国家专利局专利信息显示，华为技术有限公司于 4 月 5 日公开了一项芯片相关专利，公开号 CNA。专利摘要显示，这是一种芯片堆叠封装及终端设备，涉及半导体技术领域，其能够在保证供电需求的同时，解决因采用硅通孔技术而导致的成本高的问题。

专利文件显示，该芯片堆叠封装 (01) 包括：

设置于第一走线结构 (10) 和第二走线结构 (20) 之间的第一芯片 (101) 和第二芯片 (102)；所述第一芯片 (101) 的有源面 (S1) 面向所述第二芯片 (102) 的有源面 (S2)；第一芯片 (101) 的有源面 (S1) 包括第一交叠区域 (A1) 和第一非交叠区域 (C1)，第二芯片 (102) 的有源面 (S2) 包括第二交叠区域 (A2) 和第二非交叠区域 (C2)；第一交叠区域 (A1) 与第二交叠区域 (A2) 交叠，第一交叠区域 (A1) 和第二交叠区域 (A2) 连接；第一非交叠区域 (C1) 与第二走线结构 (20) 连接；第二非交叠区域 (C2) 与第一走线结构 (10) 连接。

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